特許
J-GLOBAL ID：200903073847916071
静電誘導半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234342
公開番号（公開出願番号）：特開平5-075140
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 十分なゲート・カソード間耐圧とノーマリイオフタイプを両立させられる静電誘導半導体装置を提供することを課題とする。【構成】 半導体基板1一側の表面部分に第1導電型のカソード領域2を備えるとともに半導体基板他側に第1導電型のアノード領域3を備え、前記カソード領域とアノード領域の間は第2導電型のベース領域5となっており、前記カソード領域を挟む形でベース領域中に第1導電型のゲート領域4が埋め込み形成され、このゲート領域とカソード領域の間に第2導電型のソース領域6を備え、前記カソード領域とソース領域の両方にコンタクトするようにしてカソード電極7が設けられている静電誘導半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板一側の表面部分に第1導電型のカソード領域を備えるとともに半導体基板他側に第1導電型のアノード領域を備え、前記カソード領域とアノード領域の間は第2導電型のベース領域となっており、前記カソード領域を挟む形でベース領域中に第1導電型のゲート領域が埋め込み形成され、このゲート領域とカソード領域の間に第2導電型のソース領域を備え、前記カソード領域とソース領域の両方にコンタクトするようにしてカソード電極が設けられている静電誘導半導体装置。
引用特許：
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