特許
J-GLOBAL ID：200903073854173629
薄膜トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275832
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】 本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に配置される非単結晶シリコン膜から成る島状領域と、島状領域の側壁部に配置される第1の絶縁膜と、島状領域上に配置される第2の絶縁膜と、島状領域上に第2の絶縁膜を介して配置されるゲート電極とを備えて構成されることを特徴としている。【効果】 本発明の薄膜トランジスタによれば、ゲート耐圧が大幅に向上し、かつ、耐圧不良が減少して歩留まり良く製造できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に配置される非単結晶シリコン膜から成る島状領域と、前記島状領域の側壁部に配置される第1の絶縁膜と、前記島状領域上に配置される第2の絶縁膜と、前記島状領域上に第2の絶縁膜を介して配置されるゲート電極とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 R
, H01L 29/78 311 G
