特許
J-GLOBAL ID:200903073856073109

照射による表面汚染物質の除去方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外6名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-523346
公開番号(公開出願番号):特表平8-509652
出願日: 1994年04月11日
公開日(公表日): 1996年10月15日
要約:
【要約】基板を照射すると同時に基板表面(12)上に不活性ガス(18)の層流を供給するように構成された、基板表面から表面汚染物質を除去する装置及び方法。本発明は、基板表面の下の分子結晶構造を変えることなく表面汚染物質を除去することを可能にする。高エネルギ照射源は、パルス形又は連続波レーザ又は高エネルギランプを備えている。
請求項(抜粋):
処理すべき表面の結晶構造を保護しながら基板の処理表面から表面汚染物質を除去する方法において、 前記処理表面を横切る方向に層流のガス流を導入するステップを有し、前記ガスが処理表面に対して不活性であり、 前記処理表面を高エネルギ照射で照射するステップを更に有し、前記照射が、処理表面から表面汚染物質を解放させるには充分であるが、処理表面の結晶構造を変えるには不充分なエネルギ密度及び時間を有することを特徴とする表面汚染物質の除去方法。
IPC (3件):
B08B 7/00 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/304 341
FI (3件):
B08B 7/00 ,  B23K 26/00 E ,  H01L 21/304 341 D
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開平2-086128

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