特許
J-GLOBAL ID：200903073856701606
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-264770
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125198
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 電気的特性の劣化が少ない半導体装置を提供すること。【構成】 信号が入力されるゲート電極Gおよび信号が出力されるドレイン電極D,そして接地されるソース電極Sを有し、各電極G、D、Sが基板11の一方の面に形成された半導体素子と、各電極G、D、Sと同じ側の基板11面に形成され、かつ各電極G、D、Sにそれぞれ対応して設けられた複数のボンディングパッド12G、12D、12Sと、基板11の他方の面に形成された金属層15とを備え、ゲート電極Gおよびドレイン電極Dが対応するボンディングパッド12G、12Dと高周波帯の伝送線路13、14で接続されている。
請求項（抜粋）：
信号が入力される第1の電極および信号が出力される第2の電極、そして接地される第3の電極を有し、前記第1乃至第3の各電極が基板の一方の面に形成された半導体素子と、前記第1乃至第3の各電極と同じ側の基板面に形成され、かつ前記第1乃至第3の電極にそれぞれ対応して設けられた複数のボンディングパッドと、前記基板の他方の面に形成された金属層とを具備した半導体装置において、前記第1の電極および前記第2の電極が、これらと対応する前記ボンディングパッドと高周波帯の伝送線路で接続されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/812
, H01L 21/338
, H01L 21/60 301
, H01L 23/04
, H01L 23/12 301
, H01P 3/08
, H01P 5/08
, H03F 3/60
