薄膜多層回路基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232714
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086737
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】薄膜多層回路基板の製造方法に関し、ビアの断線をなくすることを目的とする。【構成】第1の導電層を備えた絶縁基板上にビア穴を含む第1の絶縁層を形成し、次に、ビア穴に金属粒を充填し、次に、超微粒子金属ペーストを第1の絶縁層上にスピンコートした後、加熱して第1の絶縁層上に金属膜を形成し、次に、第1の絶縁層上に密着性強化金属膜と導電層形成金属膜との積層膜を形成し、次に、レジストを被覆した後、配線パターン形成位置を窓開けし、窓開け位置にメッキして配線を形成し、次に、レジストを除去した後、配線形成位置を除く第1の絶縁層上に存在する金属膜を除去して第2の導電層を形成する工程とを含んで薄膜多層回路基板を構成する。

請求項（抜粋）：

第1の導電層(3)を備えた絶縁基板上にビア穴(1)を含む第1の絶縁層(2)を形成し、次に、該ビア穴(1)に金属粒(4)を充填し、次に、超微粒子金属ペーストを前記第1の絶縁層(2)の上にスピンコートした後、加熱してビア穴(1)の金属粒(4)を第1の導電層(3)に密着させると共に第1の絶縁層(2)の上に金属膜(5)を形成し、次に、該金属膜(5)を形成した第1の絶縁層(2)の上に密着性強化金属膜(6)と導電層形成金属膜(7)との積層膜を形成し、次に、該積層膜の上にレジスト(9)を被覆した後、配線パターン形成位置を窓開けし、該窓開け位置に所定の厚さに導電層形成金属をメッキして配線(10)を形成し、次に、レジスト(9)を除去した後、配線形成位置を除いて第1の絶縁層(2)の上に存在する金属膜(5)をエッチングして除去して第2の導電層(14)を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方法。

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