特許

J-GLOBAL ID：200903073859510054

配線形成方法

発明者： 牛膓 哲雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-199687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045463
出願日： 1992年07月27日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 信頼性の高い配線形成を行う。【構成】 絶縁層に形成されたコンタクトホール内をポリシリコンで埋め込み、これの上に金属層を被着形成して金属シリサイドによるプラグを形成しその後このプラグ表面をポリッシングして平坦化する。

請求項（抜粋）：

絶縁層に形成されたコンタクトホールをポリシリコンで埋め込む工程と、その後、これの上に低抵抗かつ上記シリコンと低抵抗シリサイドを形成し得る金属を被着形成する工程と、その後、シリサイデーションアニールを行う工程と、その後、上記金属のみを選択エッチングして金属シリサイドのプラグを形成する工程と、該プラグをその周辺とほぼ同一平面にするポリッシュによる平坦処理工程とを経ることを特徴とする配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/3205