特許

J-GLOBAL ID：200903073861051393

電気的に分離したパワー半導体パッケージ

発明者： チョイ, カン リム
出願人/特許権者： イクシス コーポレーション
代理人 (1件)： 小橋 正明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-562950
公開番号（公開出願番号）：特表2002-521843
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2002年07月16日
要約：

【要約】【課題】 本装置の金属裏側(34)と端子(38)との間に電圧分離を有するパッケージ化パワー半導体装置(24)。本装置からヒートシンクへの電気的分離及び良好な伝熱を与えるために直接ボンド付け銅(DBC)基板(28)を使用している。パワー半導体ダイ(26)が半田又はその他の態様でDBC基板の第一金属層(30)ヘ装着されている。第一金属層は該半導体ダイによって発生される熱を散逸させる。該リード及びダイは単一の操作でDBC基板へ半田付けさせることが可能である。1実施例においては、3,000Vを超える分離が達成される。別の実施例においては、該パッケージ化パワー半導体装置はTO-247アウトラインに適合している。

請求項（抜粋）：

パッケージ化したパワー半導体装置において、 直接ボンド付け銅(DBC)基板の第一銅層に取付けられているパワー半導体ダイ、 前記第一銅層に電気的に結合されている少なくとも1個のリード、 前記パワー半導体ダイ及び少なくとも前記第一銅層を取囲んでいる封止体であって、前記DBC基板の第二銅層の少なくとも一部を露出させたままとしてパッケージ化したパワー半導体装置の裏側を形成し、前記第二銅層が前記第一銅層から電気的に分離されており且つ前記リードの一部を露出させたままとしている封止体、を有している装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/48

FI (3件)：

H01L 23/48 G ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 C

Fターム (7件)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13 ,  5F036BE01