特許

J-GLOBAL ID：200903073862074087

誘電結合プラズマCVD方法およびその装置

発明者： 福山 聡
出願人/特許権者： 東芝機械株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197599
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045497
出願日： 1995年08月02日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】 プラズマの強度によらず均一な厚さの成膜を行うことのできる誘電結合プラズマCVD方法および装置を提供する。【解決手段】 リング状アンテナ45に高周波を印加してプラズマ43を発生させ、反応チャンバ3内のステージ7上に載置されたウエハ5の表面に気相成長膜を形成する際に、回転装置が前記ステージ7を高速回転(3000rpm以上) させるものである。これにより、プラズマ43で分解されたガスがウエハ5上に堆積する際に、ウエハ5を載せたステージ7が高速で回転するので、成膜速度の向上および成膜の均一性が改善される。

請求項（抜粋）：

リング状アンテナに高周波を印加してプラズマを発生させ、反応チャンバ内のステージ上に載置された基板表面に気相成長膜を形成する誘電結合プラズマCVD方法であって、前記ステージを高速回転させながら成膜することを特徴とする誘電結合プラズマCVD方法。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (7件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B