特許

J-GLOBAL ID：200903073865691613

半導体装置の接続方法

発明者： ▲高▼瀬 喜久
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286299
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 温度の変化に対しても接続信頼性の高い電極構成及び封止方法を提供することを目的とする。【解決手段】 外部接続電極3の上に、第1導電層5と、この第1導電層5の上に形成された第2導電層6とを積層した2層構造を有する突起電極2が形成された半導体装置1と、図1(b)に示すように、電極端子8が上面に設けられたプリント配線板7とこのプリント配線板7の電極端子8側の面に設けた異方導電性樹脂層9とからなり、半導体装置1の突起電極2とプリント配線板7の電極端子8に対向するように位置合わせし一体化した際に、導電粒子10が第2導電層6の中に食い込み、さらにプリント配線板7の電極端子8の中にも食い込まし、異方導電性樹脂層9が硬化し封止した半導体モジュール。

請求項（抜粋）：

一面に電極端子が設けられた基板の前記電極端子面側に異方導電性樹脂層を設ける工程と、熱圧着温度よりも融点が高く、さらに前記基板に設けられた電極端子より硬度が高く、異方導電性樹脂層中の導電粒子と硬度がほぼ同じか、それよりも硬度が高い物質からなる第1導電層と、前記の第1導電層よりも硬度が低く異方導電性樹脂層中の導電粒子より硬度が低い物質からなる第2導電層とを少なくとも含んで積層してなる突起電極が設けられた半導体装置を前記基板に対し、前記異方導電性樹脂層を介在させて前記突起電極を前記電極端子に対向させて位置合わせする工程と、前記半導体装置を前記基板に向けて加圧するとともに加熱し、前記異方導電性樹脂層を軟化させたうえ、硬化させることにより、前記半導体装置の突起電極を前記基板の電極端子に接続する工程とからなる半導体装置の接続方法。

IPC (5件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01R 12/04 ,  H01R 11/01

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R ,  H01R 11/01 A ,  H01L 21/92 602 R ,  H01R 9/09 Z

Fターム (15件)：

5E077BB31 ,  5E077CC02 ,  5E077DD03 ,  5E077EE02 ,  5E077EE29 ,  5E077JJ30 ,  5F044KK02 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05 ,  5F061AA01 ,  5F061CA22 ,  5F061CB07 ,  5F061DE03