特許

J-GLOBAL ID：200903073866060145

バッテリーバックアップ回路

発明者： 佐藤 泰浩
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 藤田 龍太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-087379
公開番号（公開出願番号）：特開平8-265990
出願日： 1995年03月20日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 1次電池の消耗を極力少なくして電池交換を極力少なくする。【構成】 SRAM1の電源ライン3に順方向に挿入された電源側から順の第1,第2の逆流防止ダイオード7,8の直列回路と、この両ダイオード7,8の接続点に接続され,両ダイオード7,8を通流するSRAM1の常電源により充電され,常電源の停電によりダイオード8を介して放電し,SRAM1に初期バックアップ電源を給電する電気二重層コンデンサ9と、電源ライン3のダイオード8よりSRAM1側に充電阻止用の第3の逆流防止ダイオード10を介して接続され,初期バックアップ電源が一定電圧まで放電低下したときにダイオード10を介して放電し,SRAM1に主バックアップ電源を給電する1次電池6とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体メモリの電源ラインに順方向に挿入された電源側から順の第1,第2の逆流防止ダイオードの直列回路と、前記両逆流防止ダイオードの接続点に接続され,前記両逆流防止ダイオードを通流する前記半導体メモリの常電源により充電され,前記常電源の停電により前記第2の逆流防止ダイオードを介して放電し,前記半導体メモリに初期バックアップ電源を給電する電気二重層コンデンサと、前記電源ラインの前記第2の逆流防止ダイオードより前記半導体メモリ側に充電阻止用の第3の逆流防止ダイオードを介して接続され,前記初期バックアップ電源が一定電圧まで放電低下したときに前記第3の逆流防止ダイオードを介して放電し,前記半導体メモリに主バックアップ電源を給電する1次電池とを備えたことを特徴とするバッテリーバックアップ回路。

IPC (2件)：

H02J 9/06 505 ,  H02J 9/06 502

FI (2件)：

H02J 9/06 505 C ,  H02J 9/06 502 B