特許

J-GLOBAL ID：200903073875720190

窒化物系化合物半導体装置及び発光装置

発明者： 酒井 士郎
出願人/特許権者： 酒井 士郎 ,  ナイトライド・セミコンダクター株式会社
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-160320
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363349
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】窒化物系化合物半導体装置において、転位密度の低減を図る。【解決手段】基板10上に第1バッファ層12、第2バッファ層14、SLS層16、MQW発光層18、SLS層20、電極形成層22、p電極24、n電極26を形成する。第1バッファ層12として低温形成のAlNPを用い、第2バッファ層14として高温形成のAlNPを用いることで、MQW発光層18の転位密度を低減し、光の吸収を抑制する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1バッファ層及び第2バッファ層を形成し、前記第2バッファ層上に窒化物系化合物半導体層を形成してなる窒化物系化合物半導体装置であって、 前記第1バッファ層は、AlN1-xPx(但し、0<x<1)であることを特徴とする窒化物系化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (19件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55