特許

J-GLOBAL ID：200903073876568767

PTC抵抗素子の製造方法

発明者： 倉元 政道 ,  浅野 義彦 ,  中島 義雄
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164813
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013203
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 V2O3セラミックスに亀裂が生じないで良好な接合ができるようにしたものである。【構成】 Inを含んだ低温ロー材を用いてV2O3セラミックスと金属とを接合するために、V2O3セラミックスには(V0・996Cr0・004)2O3+5wt%Feを、ロー材には59%Ag-27.25%Cu-1.25%Ti-12.5%Inを、金属には無酸素銅を使用して715°C〜770°C,20分間のロー付け条件でロー付けを行う。

請求項（抜粋）：

(V1-xCrx)2O3(但し0≦x≦0.015)を仮焼した後、この仮焼物に焼結助剤としてFeを混合してから、この混合物を再び焼成してセラミックスを得、このセラミックスにInを含んだ低融点ロー材を使用して730°C以下の温度で電極を接合してなることを特徴とするPTC抵抗素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  H01C 17/00