特許
J-GLOBAL ID：200903073877711407
半導体薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
三澤 正義 (外1名)
, 三澤 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293691
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147233
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【構成】 単結晶シリコン基板1上に絶縁膜2を形成し、この絶縁膜2を部分的に除去して単結晶シリコン基板1表面を露出させたシード領域3を形成した後、このシード領域3及び前記絶縁膜2上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、シリコンの選択エピタキシャル成長法を用いてシード領域3から絶縁膜2の上面にわたってエピタキシャルシリコン層を形成する工程と、このエピタキシャルシリコン層及び前記絶縁膜の全面に非晶質シリコン膜を形成する工程と、熱処理によりエピタキシャルシリコン層を種結晶として固相成長させ非晶質シリコン膜を単結晶シリコン膜5に変換する工程とを含むものである。【効果】 絶縁膜上に安定で、かつ大面積の単結晶シリコン膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜を部分的に除去して単結晶シリコン基板表面を露出させたシード領域を形成した後、このシード領域及び前記絶縁膜上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、シリコンの選択エピタキシャル成長法を用いてシード領域から絶縁膜の上面にわたってエピタキシャルシリコン層を形成する工程と、このエピタキシャルシリコン層及び前記絶縁膜の全面に非晶質シリコン膜を形成する工程と、熱処理によりエピタキシャルシリコン層を種結晶として固相成長させ非晶質シリコン膜を単結晶シリコン膜に変換する工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
