特許
J-GLOBAL ID：200903073880082780
半導体素子の温度トリツプ特性測定方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003234
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】従来、知能パワースイッチ等の半導体素子のトリップ温度,復帰温度は熱板で素子を加熱し、オシロ等でその動作を観測する方法で測定され、また熱抵抗は別装置で測定する等、素子特性測定に手間がかかる点を改善する。【構成】P形FETQ1を持つ被測定素子4の場合、制御信号CSで素子4をオンさせ、FET11,12の夫々のオンとコイル17,比較器10の電流,電圧検出で素子4のトリップ,復帰を検出する。他方、測定開始前,トリップ直後,復帰直後に信号CS,FET11,12をオフしてリレーRY1,FET29をオンし、定電流源2Mからダイオード1へ測定電流IMを流し、A/D変換器33,CPU34を介しダイオード1の順電圧降下VFを求めトリップ温度,復帰温度を求める。ダイオード1の熱抵抗はパワー定電流源2Fより電流IFを流しこの通電の前,中,後のVFをCPU34に読込ませて求める。
請求項（抜粋）：
制御信号に応じてオン,オフし、このオン状態において、自身の温度が所定のトリップ温度以上になるとトリップしてオフ状態に切換わり、自身の温度が所定の復帰温度以下になるとオン状態に復帰するスイッチング回路、前記スイッチング回路に並列で該回路の通電極性と逆極性のダイオード、を備えた半導体素子の温度トリップ特性を測定する方法において、前記スイッチング回路をオンすべき前記制御信号の出力状態における前記スイッチング回路への通電発熱を介してこのスイッチング回路に前記トリップを行わせたのち前記復帰を行わせ、他方、この通電前,トリップ直後,復帰直後に夫々前記ダイオードの順電圧降下を求め、この求めた順電圧降下から前記トリップ温度および復帰温度を求めるようにしたことを特徴とする半導体素子の温度トリップ特性測定方法。
IPC (2件)：
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