特許

J-GLOBAL ID：200903073880088982

光半導体素子

発明者： 餌取 秀樹 ,  朴 鐘震
出願人/特許権者： 財団法人川村理化学研究所
代理人 (1件)： 高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152300
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345321
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 分子性光導電材料を用いて光電流量子効率が1を超える増幅を示すまでに感度が向上し、かつ、再現性を伴った光半導体素子を提供すること。【解決手段】 表面に酸化物層を有していても良いスズ、インジウム、アルミニウム、銅、クロム、チタニウム、鉄、ニッケル及び白金からなる群から選ばれる材料、あるいは酸化スズ又はインジウムチンオキシドからなる2つの電極層間に、分子性光導電材料を蒸着速度0.07nm/秒以下で蒸着して得られる有機蒸着膜からなる感光層を有する光半導体素子。

請求項（抜粋）：

2つの電極層間に有機蒸着膜からなる感光層を有する光半導体素子であって、電極層が表面に酸化物層を有していても良いスズ、インジウム、アルミニウム、銅、クロム、チタニウム、鉄、ニッケル及び白金からなる群から選ばれる材料からなる電極層、あるいは酸化スズ又はインジウムチンオキシド電極層であり、感光層が分子性光導電材料を蒸着速度0.07nm/秒以下で蒸着して得られる蒸着膜であることを特徴とする光半導体素子。

IPC (3件)：

C23C 14/12 ,  H01L 51/10 ,  H01L 31/08

FI (2件)：

C23C 14/12 ,  H01L 31/08 T

Fターム (21件)：

4K029AA09 ,  4K029BA08 ,  4K029BA13 ,  4K029BA62 ,  4K029BC08 ,  4K029BC09 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB06 ,  4K029DB13 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088AB13 ,  5F088BA01 ,  5F088BA18 ,  5F088CB06 ,  5F088CB15 ,  5F088CB18 ,  5F088FA01 ,  5F088FA03 ,  5F088FA04