特許
J-GLOBAL ID:200903073881365491

電荷転送装置、それを用いた固体撮像装置及びその制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-287486
公開番号(公開出願番号):特開2001-177766
出願日: 2000年09月21日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 電荷転送装置のデータレートを高め、低消費電力化を図る。【解決手段】 半導体基板1と、その中に形成された第1導電型半導体層からなる電荷転送路7と、その上において近接して形成された複数の電荷転送電極21と、それに対して電荷転送路中の電荷をn(nは2以上の整数)相駆動する第1のパルス信号列を印加できるとともに、電荷転送電極21に対して電荷転送路7中の電荷をn+1相以上で駆動する第2のパルス信号列を印加できるパルス信号発生回路25とを含む。
請求項(抜粋):
半導体基板と、該半導体基板中に形成された第1導電型半導体層からなる電荷転送路と、該電荷転送路上に近接して形成された複数の電荷転送電極と、該電荷転送電極に対して前記電荷転送路中の電荷をn(nは2以上の整数)相駆動する第1のパルス信号列を印加できるとともに、前記電荷転送電極に対して前記電荷転送路中の電荷をn+1相以上で駆動する第2のパルス信号列を印加できる第1のパルス信号発生回路とを含む電荷転送装置。
IPC (4件):
H04N 5/335 ,  H01L 27/148 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339
FI (4件):
H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 P ,  H01L 27/14 B ,  H01L 29/76 301 B
Fターム (30件):
4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA10 ,  4M118DA03 ,  4M118DA18 ,  4M118DB05 ,  4M118DB06 ,  4M118DB07 ,  4M118DB08 ,  4M118DD04 ,  4M118FA06 ,  4M118GC08 ,  4M118GC15 ,  5C024AX01 ,  5C024CY15 ,  5C024CY33 ,  5C024CY42 ,  5C024EX18 ,  5C024GY01 ,  5C024GY18 ,  5C024GY23 ,  5C024HX60 ,  5C024JX21 ,  5C024JX23 ,  5C024JX24 ,  5C024JX25 ,  5C024JX26 ,  5C024JX27
引用特許:
審査官引用 (4件)
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