特許
J-GLOBAL ID:200903073881365491
電荷転送装置、それを用いた固体撮像装置及びその制御方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-287486
公開番号(公開出願番号):特開2001-177766
出願日: 2000年09月21日
公開日(公表日): 2001年06月29日
要約:
【要約】【課題】 電荷転送装置のデータレートを高め、低消費電力化を図る。【解決手段】 半導体基板1と、その中に形成された第1導電型半導体層からなる電荷転送路7と、その上において近接して形成された複数の電荷転送電極21と、それに対して電荷転送路中の電荷をn(nは2以上の整数)相駆動する第1のパルス信号列を印加できるとともに、電荷転送電極21に対して電荷転送路7中の電荷をn+1相以上で駆動する第2のパルス信号列を印加できるパルス信号発生回路25とを含む。
請求項(抜粋):
半導体基板と、該半導体基板中に形成された第1導電型半導体層からなる電荷転送路と、該電荷転送路上に近接して形成された複数の電荷転送電極と、該電荷転送電極に対して前記電荷転送路中の電荷をn(nは2以上の整数)相駆動する第1のパルス信号列を印加できるとともに、前記電荷転送電極に対して前記電荷転送路中の電荷をn+1相以上で駆動する第2のパルス信号列を印加できる第1のパルス信号発生回路とを含む電荷転送装置。
IPC (4件):
H04N 5/335
, H01L 27/148
, H01L 29/762
, H01L 21/339
FI (4件):
H04N 5/335 F
, H04N 5/335 P
, H01L 27/14 B
, H01L 29/76 301 B
Fターム (30件):
4M118AA04
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118AB10
, 4M118BA10
, 4M118DA03
, 4M118DA18
, 4M118DB05
, 4M118DB06
, 4M118DB07
, 4M118DB08
, 4M118DD04
, 4M118FA06
, 4M118GC08
, 4M118GC15
, 5C024AX01
, 5C024CY15
, 5C024CY33
, 5C024CY42
, 5C024EX18
, 5C024GY01
, 5C024GY18
, 5C024GY23
, 5C024HX60
, 5C024JX21
, 5C024JX23
, 5C024JX24
, 5C024JX25
, 5C024JX26
, 5C024JX27
引用特許: