特許

J-GLOBAL ID：200903073888792425

電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路

発明者： 阿部 康 ,  笹川 清明
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359489
公開番号（公開出願番号）：特開2002-165435
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 電圧駆動型半導体素子用ゲート駆動回路の簡素化を図り、消費電力を低減させる。【解決手段】 IGBT等の電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路に設けられる最終段のスイッチング素子FET4,FET5の各入力電圧VGS4,VGS5を、IGBTに電流を流す期間には高い電圧レベル、電流を維持する期間には低い電圧レベルとなるようにすることで、簡単な構成で低消費電力化を図る。

請求項（抜粋）：

オン用電源とオフ用電源の直列回路に、第1のスイッチング素子と第1の抵抗および第2のスイッチング素子と第2の抵抗の直列回路を並列に接続し、前記オン用電源とオフ用電源との直列接続点および前記第1の抵抗と第2の抵抗との直列接続点間に、電圧駆動型半導体素子を接続してなる電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路において、前記第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子を電圧駆動型半導体素子とするととに、これら各素子へは電圧可変回路より可変の入力電圧を与えてそれぞれ駆動することを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路。

Fターム (5件)：

5H740AA05 ,  5H740BA11 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• IGBT駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-118345   出願人：富士電機株式会社
• 特開平3-021114