特許
J-GLOBAL ID：200903073889171092
真空吸着テーブル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-297669
公開番号（公開出願番号）：特開平6-114664
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：
【要約】【目的】 真空吸引時の半導体ウェーハの平坦度を確保できる真空吸着テーブルを提供すること。【構成】 真空吸着テーブル10は主として、吸着部11と台座上部13と台座下部15とから成る。吸着部11は通気性部材であるポーラスセラミックから成り、台座上部13と台座下部15とは不通気性部材である高硬度セラミックから成る。上記台座下部15は貫通孔155及びその貫通孔155に続いて溝部159が形成された板状構造である。このため、吸着部11が接合される台座下部15の上面151は、高温焼成後に平面切削・研磨することが可能となる。従って、半導体ウェーハ吸着時の吸着圧力による吸着部11の撓みが防止され、半導体ウェーハ加工の高精度化が達成できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを真空吸引を利用して吸着させ平面研削・研磨するための真空吸着テーブルであって、板状に形成された通気性部材から成る吸着部材と、前記吸着部材を嵌挿し、前記吸着部材の周囲側面を覆って該周囲側面からのエアの流通を防止するように形成された不通気性部材から成る台座上部材と、上面が前記台座上部材下面と接合され、前記吸着部材を載置する載置面にエアを吸引するための貫通孔及び該貫通孔に続く溝が形成された板状の不通気性部材から成る台座下部材とを有し、前記台座下部材の前記貫通孔側から真空吸引することにより、前記台座上部材又は前記台座下部材と接合された前記吸着部材の露出面に前記半導体ウェーハを吸着することを特徴とする真空吸着テーブル。
IPC (3件)：
B23Q 3/08
, H01L 21/304 321
, H01L 21/68
