特許
J-GLOBAL ID:200903073899530660

発光素子及びカソード電極の形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-086976
公開番号(公開出願番号):特開2000-286058
出願日: 1999年03月29日
公開日(公表日): 2000年10月13日
要約:
【要約】【課題】 低い駆動電力で発光素子を効率よく発光させる。【解決手段】 有機EL層40は、電圧印加時に正孔を放出するアノード電極50上に形成されている。そして、有機EL層40は、電圧を印加されることによって導電層20の側から注入された電子が、アノード電極50の側から注入された正孔と結合することによって発光する。薄膜ダイヤモンド30は、有機EL層40上に形成され、負の電子親和力を有し、電子を放出する。導電層20は、薄膜ダイヤモンド30上に、アノード電極50に対向して形成されている。
請求項(抜粋):
導電材料からなる導電層と、前記導電層上に形成され、負の電子親和力を有する電子放出層と、前記電子放出層上に形成され、電圧を印加されることによって前記電子放出層の側から注入された電子が、前記電子放出層とは反対の側から注入された正孔と結合することによって発光する発光層と、前記発光層上に、前記電子放出層に対向して形成され、電圧印加時に前記正孔を放出するアノード電極と、から構成されることを特徴とする発光素子。
IPC (3件):
H05B 33/26 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (3件):
H05B 33/26 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
Fターム (10件):
3K007AB03 ,  3K007AB06 ,  3K007AB11 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01

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