特許

J-GLOBAL ID：200903073904898255

半導体装置の製造方法

発明者： 南部 優子 ,  山中 光浩
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173683
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027493
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 アルミニウム又はアルミニウム合金で形成された配線パターンを有する半導体装置において、配線パターンの表面部に発生するヒロックを抑止することにより、リーク特性を向上させる。【解決手段】 半導体基板1の上に常圧CVD法により第1層の絶縁膜2を堆積する。次に、第1層の絶縁膜2の上にPVD法により第1層のアルミニウム合金膜3Aを堆積した後、エッチングして第1層の配線パターン3Bを形成する。次に、イオン注入法によりアルミニウム合金よりも硬度の大きい物質のイオン4を第1層の配線パターン3Bに注入して、該第1層の配線パターン3Bの表面部に硬質層を形成する。次に、減圧CVD法により第2層の絶縁膜6を形成する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1層の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1層の絶縁膜の上にアルミニウム又はアルミニウム合金膜よりなる金属膜を堆積する第2の工程と、前記金属膜をエッチングして配線パターンを形成する第3の工程と、前記配線パターンにアルミニウム又はアルミニウム合金よりも硬度の大きい物質のイオンを注入して前記配線パターンの表面部に硬質層を形成する第4の工程と、前記硬質層が形成された配線パターンの上に第2層の絶縁膜を形成する第5の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/88 C