トレンチ溝の埋設方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 竹内浩二 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-167357
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363615
出願日： 2004年06月04日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比からなる凹部における埋設方法を提供する。【解決手段】半導体基板のトレンチ分離構造のような高アスペクト比の凹部埋設方法において、流動性の層を凹部に堆積させて凹部のアスペクト比を低下させ、かつ凹部口の平坦部に前記流動性材料を存在させないようにし、続いて当該凹部に他の材料を埋設する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハに浅いトレンチ分離構造を形成する方法において、トレンチ溝に第1の流動性層を堆積させてそのアスペクト比(幅に対する深さ)を低下させること、次いで、第2の層を堆積させてトレンチ溝を埋設することからなり、その際、半導体ウェーハの上部表面の平坦部には前記浅いトレンチ分離構造内の流動性層が無いようにすることを特徴とする方法。

IPC (1件)：

H01L21/76

FI (1件)：

H01L21/76 L

Fターム (14件)：

5F032AA34 , 5F032AA54 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032AA78 , 5F032BA02 , 5F032DA01 , 5F032DA04 , 5F032DA07 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA34

引用特許：

出願人引用 (6件)

米国特許第6,544,858号明細書
米国特許第6,300,219号明細書
米国特許第5,874,367号明細書

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