特許

J-GLOBAL ID：200903073908890178

GaP単結晶中のSi濃度簡易測定法

発明者： 柳沢 宗久 ,  松本 秀利 ,  有坂 進
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156549
公開番号（公開出願番号）：特開平8-005553
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 常温におけるフォトルミネセンス法により、GaP単結晶中のSi濃度を簡易に測定することができる分析方法を提供する。【構成】 常温においてGaP単結晶にレーザー光を照射し、該GaP単結晶から放射されるルミネセンス光のスペクトルにおいて、発光波長6300Å近傍の発光強度と、発光波長5540Å近傍の発光強度の強度比すなわち、O/G比が、GaP単結晶中のSi濃度とよい相関関係を示すことを利用し、O/G比を測定して、GaP単結晶中のSi濃度を求める。

請求項（抜粋）：

常温においてGaP単結晶にレーザー光を照射し、該GaP単結晶から放射されるルミネセンス光のスペクトルにおいて、発光波長6300Å近傍の発光強度と、発光波長5540Å近傍の発光強度の強度比(6300Å近傍の発光強度/5540Å近傍の発光強度、以下、O/G比と称する。)が、前記GaP単結晶中のSi濃度とよい相関関係を示すことを利用し、前記O/G比を測定して、GaP単結晶中のSi濃度を求めることを特徴とするGaP単結晶中のSi濃度簡易測定方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-072648
  
• 特開昭58-060550
  
• 特開昭64-009345