特許
J-GLOBAL ID：200903073909095118
プロセスシミュレータ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244507
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097020
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】本発明は、各プロセス要素シミュレーションに用いられる物理モデル式に応じた最適メッシュ構造選択が可能であるプロセスシミュレータを提供する。【構成】プロセスシミュレータに取り込んだメッシュ生成ルーチンが、素子を構成する各層ごとの輪郭線、各層内のメッシュ点上に定義された拡散種分布、及びユーザ登録メッシュ構造テーブル(8)内のメッシュ構造を読み込み(1)、各層ごとの輪郭線により指定された構造の基本メッシュを生成した後(3)、入力された各層内の拡散種分布より上記基本メッシュ点上に拡散種量を補間し(4)、更に、上記基本メッシュ及び基本メッシュ点上に補間された拡散種量を用いて各メッシュ構造ごとに定義されたメッシュ最適化アルゴリズムを用いてメッシュ分布の最適化を行なう(5)。【効果】各プロセス要素計算に用いられる物理モデル式に応じた最適メッシュ構造選択が可能であり、効率的なプロセスシミュレーションを行なえる。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造プロセスシミュレータにおいて、素子を構成する各層ごとの輪郭線、各層内のメッシュ点上に定義された拡散種分布、及びユーザ登録メッシュ構造テーブル内のメッシュ構造を読み込み、各層ごとの輪郭線により指定された構造の基本メッシュを生成した後、入力された各層内の拡散種分布より上記基本メッシュ点上に拡散種量を補間し、更に、上記基本メッシュ及び基本メッシュ点上に補間された拡散種量を用いて各メッシュ構造ごとに定義されたメッシュ最適化アルゴリズムを用いてメッシュ分布の最適化を行なうメッシュ生成モジュールを有することにより、物理モデル式に応じた最適メッシュ構造選択が可能であることを特徴とするプロセスシミュレータ。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, G06F 15/20
, G06F 15/60 450
, H01L 21/66
