特許

J-GLOBAL ID：200903073929283956

CMOS半導体装置

発明者： 丹羽 寿雄 ,  金子 新二
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 最上 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048019
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】 CMOS半導体装置において、素子の伝搬遅延時間の増大や製造プロセスの複雑化をもたらすことなく静電耐圧を向上させる。【構成】 第1導電形半導体基板又はウェル1の表面近傍に、深い接合の第2導電形高濃度拡散領域2と、該第2導電形高濃度拡散領域2の外側に浅い接合の第1導電形低濃度拡散領域3を設け、該第1導電形低濃度拡散領域3と第2導電形高濃度拡散領域2との間、及び第1導電形半導体基板又はウェル1と第2導電形高濃度拡散領域2との間に形成されるPN接合で保護ダイオードを構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された入力及び出力保護ダイオードを有するCMOS半導体装置において、第1導電形半導体基板又はウェルの表面近傍に深い接合をもつ第2導電形高濃度拡散領域と、該第2導電形高濃度拡散領域の外側に浅い接合をもつ第1導電形低濃度拡散領域とを設け、該第1導電形低濃度拡散領域と第2導電形高濃度拡散領域の間、及び第1導電形半導体基板又はウェルと第2導電形高濃度拡散領域の間に形成されるPN接合を保護ダイオードとしたことを特徴とするCMOS半導体装置。