特許

J-GLOBAL ID：200903073934458845

半導体処理装置

発明者： 松本 順子 ,  木村 肇 ,  塩澤 謙一郎 ,  寺谷 昭美 ,  川井 健治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155947
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008005
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ上への異物の付着の防止したり、ウエハ上のパターンを傷つけることなく異物を除去できる半導体処理装置を得る。【構成】 ウエハ1に対してエッチング等を行う反応室の内壁4aの材質をシリコン(Si)より構成する。【効果】 内壁がエッチングされても、SUS等の不純物を含む異物が生じず、ウエハに形成される半導体装置における歩留りが向上する。

請求項（抜粋）：

材質がシリコンからなる反応室の内壁を備えた半導体処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 21/302 N ,  C23C 14/00 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B