特許
J-GLOBAL ID：200903073937061199

半導体装置およびその駆動方法

発明者：
木村 肇

木村 肇 について

, 
棚田 好文

棚田 好文 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-298062
公開番号（公開出願番号）：特開2003-202833
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】 発光装置において、発光素子に電流を供給するTFTのしきい値が画素ごとにばらつくことによって生ずる輝度ムラが、発光装置の画質向上の足かせとなっていた。【解決手段】 ソース信号線より画素に入力される映像信号は、ゲート・ドレイン間を接続したTFT105を経て、EL素子109に電流を供給するためのTFT107のゲート電極に所望の電位が印加される。TFT105におけるソース・ドレイン間には、TFTのしきい値に等しい電圧が生ずる。よって、TFT107のゲート電極には、映像信号をTFT105のしきい値分だけオフセットした電位が印加される。また画素内のTFTは近接配置されており、特性ばらつきが生じにくい。これにより、TFT107のしきい値が画素ごとにばらついても、TFT105のしきい値で相殺され、所望のドレイン電流をEL素子109に供給することが出来る。
請求項（抜粋）：
スイッチ素子と、整流性素子とを有し、前記整流性素子の第1の電極には、第1の信号V1が入力され、第2の電極は、前記スイッチ素子の第1の電極と電気的に接続され、前記スイッチ素子の第2の電極には、所定の電位Vが与えられる半導体装置であって、前記整流性素子の第2の電極より、前記信号V1から前記整流性素子のしきい値電圧Vthだけオフセットした信号V2を得ることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
G09G 3/30 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 624 ,  G09G 3/20 641 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14
FI (6件)：
G09G 3/30 J ,  G09G 3/20 611 H ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 D ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 614
Fターム (79件)：
3K007AB02 ,  3K007AB05 ,  3K007DB03 ,  3K007GA04 ,  5C080AA06 ,  5C080BB05 ,  5C080DD05 ,  5C080EE28 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ07 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

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