特許

J-GLOBAL ID：200903073938179908

誘導結合型プラズマCVD装置及びその装置を用いた均一成膜方法

発明者： 前岡 裕徳
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078353
公開番号（公開出願番号）：特開平10-273777
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 基板の曲率半径が小さい基板に対して、気相中における重合反応性が高いソースガスを用いて成膜した場合でも均一に成膜することができるPCVD装置を提供する。【解決手段】 ガス導入ノズルから導入された有機金属ガスをプラズマ化して基板上に膜を成膜する誘導結合型プラズマCVD装置において、前記ガス導入ノズルが途中で分岐されて複数のガス導入口が設けられ、その複数のガス導入口が基板上に膜が均一に成膜される様に分散した位置であり、かつ基板から等距離又は略等距離の位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする誘導結合型プラズマCVD装置。

請求項（抜粋）：

ガス導入ノズルから導入された有機金属ガスをプラズマ化して基板上に膜を成膜する誘導結合型プラズマCVD装置において、前記ガス導入ノズルが途中で分岐されて複数のガス導入口が設けられ、その複数のガス導入口が基板上に膜が均一に成膜される様に分散した位置であり、かつ基板から等距離又は略等距離の位置にそれぞれ配置されていることを特徴とする誘導結合型プラズマCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  G02B 1/11

FI (4件)：

C23C 16/18 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/50 ,  G02B 1/10 A