特許

J-GLOBAL ID：200903073941870085

外部変調器付き面発光半導体レーザ

発明者： 笠原 健一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335668
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152674
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 発光時に波長変動の少ない垂直共振器型面発光半導体レーザを実現する。【構成】 活性層104の上部に光吸収層108が形成され、その光吸収層108はBeドープ・ミラー106とSiドープ・ミラー110で挾まれた構成となっている。これにより、光吸収層の層厚が薄い場合でもオン・オフ比の高い変調が可能となる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1の多層膜反射鏡の上方に活性層、第2導電型の第2の多層膜反射鏡、光吸収層、および第1導電型の第3の多層膜反射鏡が順形成されており、前記活性層への定常的な電流注入によって得られるレーザ光を、前記光吸収層に逆バイアス電圧を加えて、その吸収係数を変化させ、前記第2の多層膜反射鏡と第3の多層膜反射鏡による共鳴効果で正味の光吸収率を増大させて変調し、前記第3の多層膜反射鏡の外部へ出力光として出射せしむることを特徴とする外部変調器付き面発光半導体レーザ。