特許
J-GLOBAL ID：200903073950418594
配線パターンを有する回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹下 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279468
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112628
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 狭間なピッチのランド部を含めて配線パターンをファインなものに形成し、また、表面実装部品のはんだ付け用はんだ膜を配線パターンのランド部に適正で高精度のものに形成する。【構成】 活性な金属材料の下地膜2並びに導電膜3を基板1の板面にスパッタリングまたは真空蒸着で積層形成し、その導電膜3上にレジストフィルム4を貼り付けて露光,現象による所定パターンの抜き穴5を形成し、この抜き穴5の内部に導電層6並びにはんだ膜等の金属メッキ膜7を積層形成し、その後にレジストフィルム4を剥離し、はんだ膜等の金属メッキ膜7をメタルマスクとして余剰な下地膜2並びに導電膜3を基板1の板面からエッチング除去し、メタルマスクとした金属メッキ膜を全面剥離しまたははんだ膜7としてランド部のみに残して他を配線パターン3,6から剥取り除去する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板,ポリイミド基板等の不純ガスが生じない板材を基板とし、その基板の板面にCr,Ti等の活性な金属材料で下地膜と共に、該下地膜に積層させてCu等の導電性を有する金属材料で導電膜をスパッタリングまたは真空蒸着で形成し、その後にレジストフィルムを前記導電膜に被着させて露光,現象プロセスによる所定パターンの抜き穴をフィルム面に形成し、この抜き穴の内部に露出位置する導電膜に積層させて金属メッキ膜を前記所定パターンの抜き穴に応じて形成し、その後にレジストフィルムを剥離すると共に、前記金属メッキ膜をメタルマスクとして余剰な導電膜並びに下地膜を基板の板面からエッチング除去し、更に、残る導電膜上の金属メッキ膜を剥離することによりファインな配線パターンを形成するようにしたことを特徴とする配線パターンを有する回路基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/06
, H05K 3/28
, H05K 3/24
