特許
J-GLOBAL ID：200903073951235698
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347312
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 バイポーラトランジスタが、埋込層の上方向への拡散によって影響を受けることのないようにする。ベース幅の制御を正確に行いうるようにする。【構成】 p型シリコン基板1上にn+ 型埋め込み層2を形成し、n型エピタキシャル層3を堆積する。n+ 型コレクタ領域9、ポリシリコンからなるコレクタ電極10bを形成した後、p- 型ベース領域13bを形成する。フォトレジスト膜14を設けこれをマスクにトレンチを開口し、斜め方向のイオン注入によりp型ベース領域15を形成し、続いて、注入角度をより斜めにしてイオン注入を行いエミッタ領域16を形成する(a)。次に、窒化シリコン膜16でトレンチ内のベース領域を覆った後、ポリシリコンのエミッタ電極19を形成する。サイドウォール20、酸化シリコン膜21を形成した後、フォトレジスト膜22をマスクとしてp+ 型ベース領域23bを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層(3)上に、所望の位置に開口を有するフォトレジスト膜(14)を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記半導体層に所望の深さのトレンチを形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして第2導電型不純物をイオン注入して前記トレンチの側面および底面に第2導電型領域(15)を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして第1導電型不純物を斜め方向からイオン注入して、前記第2導電型領域(15)の表面領域内の前記トレンチの側壁部分のみに第1導電型領域(16)を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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