特許

J-GLOBAL ID：200903073951660607

希土類合金膜磁石

発明者： 荒木 健 ,  中西 輝雄 ,  梅村 敏夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274016
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 希土類系膜磁石の厚膜化に伴う結晶粒粗大化は、隣接する粒子との干渉を引き起こし、その結果、結晶のc軸が乱れて磁化方向にばらつきが生じてしまう。これを改善するため、結晶粒の粗大化を抑制した希土類合金膜磁石を提供する。【解決手段】 膜厚方向に結晶のc軸が配向したNd2Fe14B型結晶相と非結晶相の混合組織を有し、膜中にIn、Ga、Al、Siのうちの少なくとも1つの元素を添加し、この元素濃度を基板に接する部分で高くし、かつ、膜厚方向に周期的に変化させる。この元素濃度の周期は1〜10μmとし、元素の平均濃度は5at%以下とする。また、非結晶相を強磁性相とする。

請求項（抜粋）：

膜厚方向に結晶のc軸が配向したNd2Fe14B型結晶相と非結晶相との混合組織を有するとともに、膜中にIn、Ga、Al、Siのうちの少なくとも1つの元素を添加し、この元素濃度を、基板に接する部分で高くし、かつ、膜厚方向に周期的に変化させたことを特徴とする希土類合金膜磁石。

IPC (2件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303

FI (2件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 D

Fターム (7件)：

5E049AA01 ,  5E049AA09 ,  5E049AC01 ,  5E049BA01 ,  5E049BA29 ,  5E049DB02 ,  5E049GC01