特許

J-GLOBAL ID：200903073953413496

炭化珪素半導体装置

発明者： 金子 佐一郎
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125412
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318398
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】特に、ノーマリオフの電圧駆動型で、製造工程の簡単な低オン抵抗の高耐圧電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】N+型SiC基板10とその上のN-型エピタキシャル領域20と、N-型エピタキシャル領域20上にヘテロ接合するN-型多結晶シリコン層60と、N-型エピタキシャル領域20とN-型多結晶シリコン層60との接合部に隣接してゲート絶縁膜30を介して配設されたゲート電極40と、N+型SiC基板10の裏面に設けられたドレイン電極90と、N-型多結晶シリコン層60に接触するソース電極80とを有する。

請求項（抜粋）：

第一導電型の炭化珪素半導体基体と、該半導体基体上にヘテロ接合するヘテロ半導体領域と、前記半導体基体と前記ヘテロ半導体領域との接合部に隣接してゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、前記半導体基体に設けられた第一導電型のドレイン電極と、前記ヘテロ半導体領域に接触するソース電極とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 654

FI (4件)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 Z ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 654 Z