特許
J-GLOBAL ID：200903073957117506
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340062
公開番号（公開出願番号）：特開平10-188586
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 回路構成が簡単で、しかも高速にかつ精度の高いデータプログラムを行うことができるDINOR型半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】 プログラム動作がベイファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行うことによりなされるDINOR型フラッシュメモリにおいて、段階電圧発生部5により出力されるプログラムワード線電圧(Vw)1〜(Vw)a、および段階電圧発生部7により出力される基準ビット線電圧(Vb)1〜(Vb)kが、ともにプログラム回数に依存して可変の電圧値に設定され、かつ、プログラムワード線電圧と基準ビット線電圧の電圧差がプログラム回数の進行に従って漸増するようにデータプログラムが行われる。
請求項（抜粋）：
行列状に配置された複数のメモリトランジスタを有し、主ビット線が副ビット線に階層化され、副ビット線にメモリセルトランジスタが接続されたDINOR構造をなし、同一行に配置されたメモリトランジスタが共通のワード線に接続され、前記メモリトランジスタが接続されたワード線に高電圧のプログラムワード線電圧、ビット線に基準ビット線電圧を印加して前記プログラムワード線電圧と基準ビット線電圧とのプログラム電圧差により、前記メモリトランジスタに電気的にデータプログラムを行うDINOR型半導体不揮発性記憶装置であって、ベリファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行い、前記プログラムワード線電圧および基準ビット線電圧をともにプログラム回数に応じた可変の電圧値に設定し、かつ前記プログラム電圧差をプログラム回数の増加にしたがって漸増させる手段を有するDINOR型半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 633 C
, G11C 17/00 611 E
