特許

J-GLOBAL ID：200903073960325632

スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法およびスパッタリングターゲット材

発明者： 谷口 繁
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (1件)： 大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018757
公開番号（公開出願番号）：特開平5-214518
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 Crを70wt%以上含むスパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合体で高融点のろう材で接合した場合でも反りを矯正できる方法およびスパッタリングターゲット材を提供する。【構成】 本発明の矯正方法はCrを70wt%以上含む合金または純Crのスパッタリングターゲットと銅またはステンレス鋼のバッキングプレートが、融点が400°Cを越えるろう材を介して接合されている接合体を400°C以上でろう材の融点未満の温度に加熱し矯正する方法である。また、本発明のスパッタリングターゲット材は、Crを70wt%以上含む合金または純Crのスパッタリングターゲットと銅またはステンレス鋼のバッキングプレートが、融点400°C以上のろう材を介して接合されて構成されるものである。

請求項（抜粋）：

Crを70wt%以上含む合金または純Crのスパッタリングターゲットと銅またはステンレス鋼のバッキングプレートが、融点が400°Cを越えるろう材を介して接合されている接合体を400°C以上でろう材の融点未満の温度に加熱し、矯正することを特徴とするスパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体の矯正方法。