特許

J-GLOBAL ID：200903073960791439

プロセス装置

発明者： 関根 誠 ,  早坂 伸夫 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019666
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219937
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 反応性ガスによる容器内壁等の腐食を抑制する。【解決手段】 反応性ガスに晒されるチャンバ11や配管18の表面を金属とフッ素との安定な化合物、例えばCaF2 膜19で被覆することにより、反応性ガスによる腐食を抑制する。

請求項（抜粋）：

反応性ガスに晒される部材内の所望の箇所の表面に、ポーリングの電気陰性度が1.0以上かつ1.5以下の金属とフッ素との化合物膜が形成されていることを特徴とするプロセス装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 B