特許

J-GLOBAL ID：200903073967642986

半導体光源モジュールの製造方法及び半導体光源モジュール

発明者： 安達 一彦
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086878
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】 一回のハンダ付け工程で複数の半導体レーザ等の半導体発光素子をダイボンドする半導体光源モジュールの製造方法及び半導体光源モジュールを提供する。【解決手段】 発光波長の異なる複数の半導体発光素子を同一のサブマウントに配置する半導体光源モジュールの製造方法において、前記サブマウントの表面には、複数の半導体発光素子に対応して、その一部にハンダ層を形成した複数の電極パターンが形成されており、複数の半導体発光素子を、アノード側を下にして前記各ハンダ層上に配置した後、複数の半導体発光素子に跨る押え治具を用いて同時に加圧・熱処理して、複数の半導体発光素子を一括して接合する。

請求項（抜粋）：

発光波長の異なる複数の半導体発光素子を同一のサブマウントに配置する半導体光源モジュールの製造方法において、前記サブマウントの表面には、複数の半導体発光素子に対応して、その一部にハンダ層を形成した複数の電極パターンが形成されており、複数の半導体発光素子を、アノード側を下にして前記各ハンダ層上に配置した後、複数の半導体発光素子に跨る押え治具を用いて同時に加圧・熱処理して、複数の半導体発光素子を一括して接合することを特徴とする半導体光源モジュールの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  H01L 21/52 C ,  H01L 21/60 311 Q

Fターム (19件)：

5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044RR01 ,  5F044RR08 ,  5F047AA19 ,  5F047BA01 ,  5F047BB01 ,  5F047BB16 ,  5F047FA05 ,  5F047FA08 ,  5F073BA05 ,  5F073CA01 ,  5F073EA29 ,  5F073FA13 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA21 ,  5F073FA27 ,  5F073FA30