複合誘電体

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石井陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373804
公開番号（公開出願番号）：特開2001-184948
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】比較的高いQと比較的高い比誘電率が得られ、そのような特性が要求される用途(例えばストリップラインや、インピーダンスの整合回路、遅延回路、アンテナ等の電子部品)に用いられ、その要求特性に応じた対応が可能である、緻密な複合誘電体を提供する。【解決手段】樹脂中にセラミクスが分散した複合誘電体において、前記樹脂がポリビニルベンジルエーテル化合物から得られたものであり、前記ポリビニルベンジルエーテル化合物と前記セラミクスの粉末とが、その両者の合計量を100vol%としたとき、前記セラミクスの粉末の含有量が10vol%以上70vol%未満となる混合割合であり、500MHz以上のいずれかの周波数でのQが250以上で、かつ比誘電率が3以上である複合誘電体。

請求項（抜粋）：

樹脂中にセラミクスが分散した複合誘電体において、前記樹脂がポリビニルベンジルエーテル化合物から得られたものであり、前記ポリビニルベンジルエーテル化合物と前記セラミクスの粉末とが、その両者の合計量を100vol%としたとき、前記セラミクスの粉末の含有量が10vol%以上70vol%未満となる混合割合であり、500MHz以上のいずれかの周波数でのQが250以上で、かつ比誘電率が3以上である複合誘電体。

IPC (3件)：

H01B 3/12 304 , C07C 43/215 , H01B 3/42

FI (3件)：

H01B 3/12 304 , C07C 43/215 , H01B 3/42 G

Fターム (32件)：

4H006AA01 , 4H006AB46 , 4H006BJ30 , 4H006BJ50 , 4H006BP30 , 5G303AA05 , 5G303AB06 , 5G303AB08 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CA09 , 5G303CB01 , 5G303CB03 , 5G303CB05 , 5G303CB06 , 5G303CB17 , 5G303CB22 , 5G303CB30 , 5G303CB31 , 5G303CB32 , 5G303CB35 , 5G303CB38 , 5G305AA06 , 5G305AA14 , 5G305AB09 , 5G305AB10 , 5G305BA15 , 5G305BA26 , 5G305CA13 , 5G305CA33 , 5G305CC02 , 5G305CD20

引用特許：

審査官引用 (5件)

ポリビニルベンジルエーテル化合物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-187375 出願人：昭和高分子株式会社
特表平1-503783
特表平3-504025

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