特許

J-GLOBAL ID：200903073975492829

潜像刷版およびその製造方法

発明者： 横田 昌久 ,  中林 亮 ,  石村 秀一
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-374884
公開番号（公開出願番号）：特開2001-180145
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【目的】 光触媒のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーの光の照射により疎水性を呈する膜を有する潜像刷版を提供することを目的とする。【構成】 光触媒と親水性化合物及びシリコーン化合物を含む膜を有する刷版であって、該被膜に光触媒のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを含む光を照射することにより、照射された部分の20°Cにおける水との接触角が光照射前より10°以上増加することを特徴とする潜像刷版。

請求項（抜粋）：

光触媒と親水性化合物及びシリコーン系化合物を含む膜を有し、該膜の一部で光触媒のバンドギャップエネルギーよりも高いエネルギーを含む光を照射した部分の、20°Cにおける該被膜と水との接触角が光照射前より10°以上増加する潜像刷版。

IPC (2件)：

B41N 1/14 ,  G03F 7/00 503

FI (2件)：

B41N 1/14 ,  G03F 7/00 503

Fターム (27件)：

2H096AA06 ,  2H096AA07 ,  2H096AA08 ,  2H096BA16 ,  2H096BA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA04 ,  2H096LA17 ,  2H096LA30 ,  2H114AA04 ,  2H114AA23 ,  2H114AA24 ,  2H114BA01 ,  2H114BA10 ,  2H114DA05 ,  2H114DA08 ,  2H114DA43 ,  2H114DA50 ,  2H114DA51 ,  2H114DA53 ,  2H114DA55 ,  2H114DA60 ,  2H114DA62 ,  2H114EA01 ,  2H114EA02 ,  2H114FA06 ,  2H114GA01