特許

J-GLOBAL ID：200903073980472844

処理方法及び処理装置

発明者： 田中 秀哉 ,  森岡 則光 ,  吉原 孝介
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233456
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124846
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【課題】 被処理体の裏面側への処理液の侵入を阻止して、処理能率の向上及び歩留まりの向上を図ること。【解決手段】 半導体ウエハWを回転保持するスピンチャック21と、半導体ウエハWの表面に現像液Lを供給する処理液供給ノズル23と、半導体ウエハWの表面及び裏面にリンス液Rを供給する第1及び第2の洗浄液噴射ノズル31,32と、半導体ウエハWの裏面周縁部側に近接する部位に配置される円筒壁24とを具備する処理装置において、円筒壁24の頂面24aの幅Aを5〜15mmに形成する。これにより、現像処理前に、半導体ウエハWの裏面周縁部と円筒壁24の頂面24aとの間にリンス液Rの液膜を形成することができ、この液膜によって現像液Lの裏面回り込みを阻止することができる。

請求項（抜粋）：

回転保持手段にて保持される被処理体の表面に処理液を供給して被処理体の表面を処理する処理方法において、上記被処理体の表面に処理液を供給する前に、被処理体の裏面周縁部と被処理体の裏面に近接する円筒壁の頂面との間に洗浄液の液膜を形成することを特徴とする処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-192514
  
• 特開昭63-006843
  
• 特開昭60-121719
  
• 特開昭55-011311
  
• 特開平4-354560