特許
J-GLOBAL ID:200903073986393440
半導体装置
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
池内 寛幸 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-028003
公開番号(公開出願番号):特開平8-222656
出願日: 1995年02月16日
公開日(公表日): 1996年08月30日
要約:
【要約】【目的】 電子部品の1つであるコンデンサという実装部品を削減することにより、低コストの半導体装置を得る。【構成】 半導体素子2を実装したセラミック配線基板3内に形成された回路パターンの一部であるビアホール4に、誘電体7を充填し、基板3の素子側の面にグランド電位配線5、反対面に電源電位配線6を形成することにより、ビアホール部にコンデンサ発生領域を形成する。基板内部の非常に小さな領域にコンデンサを形成でき、高密度で、かつ実装部品数の少ないセラミック配線基板3を作製できる。
請求項(抜粋):
半導体素子を備えたセラミック配線基板を含む半導体装置において、セラミック配線基板の内部に、導電性物質を充填したビアホールと誘電性物質を充填したビアホールを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 23/12
, H05K 1/16
, H05K 1/18
, H05K 1/11
FI (6件):
H01L 23/12 N
, H05K 1/16 D
, H05K 1/18 J
, H05K 1/11 H
, H01L 23/12 B
, H01L 23/12 E
引用特許:
審査官引用 (4件)
-
特開平1-212455
-
特開平1-212455
-
特開昭64-044050
前のページに戻る