特許

J-GLOBAL ID：200903073986649428

半導体装置の洗浄方法

発明者： 江川 雄一 ,  小林 敏
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-198780
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045296
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム配線形成時、RIE工程において、半導体基板上に付着、残留した塩素または塩素イオンを効果的にかつ特別な装置を用いることなしに除去することができる半導体装置の洗浄方法を提供することにある。【構成】 上記諸目的は、アルミニウム配線形成工程後、炭素数1または2の有機酸、アンモニア水および過酸化水素の混合液を用いることを特徴とする半導体装置の洗浄方法により達成される。

請求項（抜粋）：

アルミニウム配線形成工程後、炭素数1または2の有機酸、アンモニア水および過酸化水素の混合液を用いることを特徴とする半導体装置の洗浄方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/60 ,  C11D 7:26 ,  C11D 7:06 ,  C11D 7:18