特許
J-GLOBAL ID：200903073986910193
磁気トランスデューサーおよび磁気再生装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260010
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】強磁性膜と、この強磁性膜に一方向異方性を発現させるための反強磁性膜とを有する磁気トランスデューサーであって、反強磁性膜の膜厚を薄くすることのできる磁気トランスデューサーを提供する。【解決手段】強磁性膜(CoFe30Aux膜)と、強磁性膜に一方向異方性を発現させるために、強磁性膜に接するように積層された反強磁性膜(CrMnPt膜)とを有する。反強磁性膜は、反強磁性膜を構成する結晶粒の結晶構造が、膜面方向の特定の軸が伸長する方向に歪んでいる。
請求項（抜粋）：
強磁性膜と、前記強磁性膜に一方向異方性を発現させるために、前記強磁性膜に接するように積層された反強磁性膜とを有し、前記反強磁性膜に含まれる結晶粒の結晶格子は、膜面方向の特定の軸が伸長する方向に歪んでいることを特徴とする磁気トランスデューサー。
Fターム (4件)：
5D034BA05
, 5D034BA09
, 5D034CA08
, 5D034DA07
