特許

J-GLOBAL ID：200903073986970307

半導体製造装置、その洗浄方法、および光源ユニット

発明者： 小野 良治 ,  服部 佐知子 ,  小田村 祐子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077011
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 本発明は半導体ウェハの表面に反射防止膜などの有機膜を塗布するための半導体製造装置に関し、昇華性化合物の除去に伴うダウンタイムを短縮し、かつ、その除去作業の簡単化および安全性向上を目的とする。【解決手段】半導体ウェハ38を加熱するホットプレートユニット30の天板34を、石英などの光透過性材料で形成する。天板34の上部に、有機性の化合物を有効に分解する紫外線を発生する光源ユニット36を配置する。ホットプレートユニット28では、有機材料の塗布された半導体ウェハ38のベーク処理が行われる。天板の下面には上記のベーク処理に伴って有機材料に含まれている昇華性の化合物が付着する。ホットプレートユニット28により所定枚数の半導体ウェハ38が処理される毎に光源ユニット36を発光させて天板34に付着している化合物に紫外線を照射する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハを加熱する加熱ユニットを含む半導体製造装置であって、加熱ユニットの中で処理される半導体ウェハの上方に配置されると共に、前記半導体ウェハと対向する対向面を有する天板と、前記天板の前記対向面に対して所定波長帯の紫外線を含む光を照射する光源ユニットと、を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/304 645

FI (5件)：

H01L 21/30 567 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/304 645 D ,  H01L 21/30 574

Fターム (8件)：

2H025AB16 ,  2H025BH05 ,  2H025CC02 ,  2H025DA34 ,  2H025EA10 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10 ,  5F046PA07