特許
J-GLOBAL ID：200903073987141290
薄膜半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049060
公開番号（公開出願番号）：特開平7-258826
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：
【要約】【目的】 薄膜半導体装置の製造方法に関し、その製造工程数の低減を図り、製造歩留りの向上、信頼性の向上、製造コストの低下を実現しようとする。【構成】 ガラス基板11上にAl膜を形成してからパターニングを行ってデータ電極12Aをもつデータ線12或いはデータ線12のみを形成し、次いで、水を添加したITO膜を形成してからパターニングを行って一部がデータ電極12A或いはデータ線12と重なる画素電極13を形成する工程とが含まれ、データ電極12A或いはデータ線12と画素電極13との間に絶縁膜を別設することなく、MIMダイオードからなる薄膜ダイオード・マトリクスを形成する。
請求項（抜粋）：
透明絶縁性基板上にAl膜を形成してからパターニングを行う工程と、次いで、水を添加したITO膜を形成してから少なくとも一部が前記Al膜と重なるようにパターニングする工程とが含まれてなることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01L 31/04
