特許

J-GLOBAL ID：200903073988227083

結晶質シリコン系薄膜をプラズマCVDで形成する方法

発明者： 吉見 雅士 ,  澤田 徹
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-035302
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246313
出願日： 2001年02月13日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 比較的低い耐熱温度を有する安価な基板を用いながら簡便かつ低コストで大面積かつ良質の結晶質シリコン系薄膜を迅速にプラズマCVDで形成する。【解決手段】 結晶質シリコン系薄膜4iをプラズマCVDで形成する方法において、平行平板電極の各々が相互に対面する0.36m2以上の電極面を有し、基板1が80°C以上で200°C未満の温度に加熱されるべく基板加熱用ヒータが温度設定され、反応室内に導入される原料ガスはシランとその40倍以上で300倍以下の流量比の水素を含み、反応室内は600Pa以上で6000Pa以下のガス圧に調整され、基板と対向電極との間隔は3mm以上で14mm以下に設定され、平行平板電極には10MHz以上で120MHz以下の高周波電力が100mW/cm2で1000mW/cm2以下のパワー密度で印加され、結晶質シリコン系薄膜は12nm/分以上で100nm/分以下の堆積速度で形成される。

請求項（抜粋）：

基板を支持するための基板支持電極とその基板に対面する対向電極とを含む平行平板型高周波電極を備えた反応室内において結晶質シリコン系薄膜をプラズマCVDで形成する方法であって、前記平行平板電極の各々は相互に対面する0.36m2以上の電極面を有し、前記基板の温度は80°C以上で200°C未満の範囲内の一定温度に維持されるべく基板加熱用ヒータが温度設定され、前記反応室内に導入される原料ガスはシランとその40倍以上で300倍以下の範囲内の流量比の水素とを含み、前記反応室内は600Pa以上で6000Pa以下の範囲内の圧力に調整され、前記基板と前記対向電極との間隔は3mm以上で14mm以下の範囲内に設定され、前記平行平板電極には10MHz以上で120MHz以下の範囲内の周波数の高周波電力が100mW/cm2で1000mW/cm2以下の範囲内のパワー密度で印加され、前記結晶質シリコン系薄膜は12nm/分以上で100nm/分以下の範囲内の堆積速度で形成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X

Fターム (35件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA08 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030JA20 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045CA13 ,  5F045DP01 ,  5F051AA03 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37