特許

J-GLOBAL ID：200903073989820624

磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果記憶素子およびデジタル信号を記憶させる方法

発明者： 小田川 明弘 ,  榊間 博 ,  平本 雅祥 ,  松川 望
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-402316
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179667
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】 磁気抵抗効果素子において、磁気抵抗特性の改善を可能とする素子を提供する。【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果素子は、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜と、第1の強磁性膜と第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜とを備え、外部磁場に対して、第1の強磁性膜は第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である。また、第1の強磁性膜および第2の強磁性膜の少なくとも一方が膜の平面方向に磁化配向を持ってもよい。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

第1の強磁性膜と、 第2の強磁性膜と、 該第1の強磁性膜と該第2の強磁性膜との間に設けられた第1の非磁性膜と、を備え、 外部磁場に対して、該第1の強磁性膜は該第2の強磁性膜よりも容易に磁化回転し、 該第1の強磁性膜の磁性的な実効の厚みが2nm以下である、磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L43/10

FI (8件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447

Fターム (15件)：

5D034BA03 ,  5D034CA00 ,  5E049AA09 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083ZA21