特許

J-GLOBAL ID：200903073992070229

半導体光電子素子の製造方法およびこの方法によって製造される素子および素子マトリックス

発明者： レオン・ゴルドスタン ,  フランソワ・ブリルエ ,  カトリーヌ・フオルタン ,  ジヨエル・ジヤケ ,  ポール・サレ ,  ジヤン・リユツク・ラフラジエツト ,  アントニーナ・プレ
出願人/特許権者： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-249069
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107389
出願日： 1997年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】 ヒ化ガリウムの単位胞とともに結晶化可能な少なくとも一つの材料をリン化インジウムの結晶ウェーハ(P1)上に折出させるためのエピタキシャル折出方法。【解決手段】 このような結晶化可能な材料は変成層を形成する。このような変成層は、マトリックスの面発光レーザの共振空洞を形成するための半導体ブラグミラー(43、M2)となる。このマトリックスは、ケイ素の支持体(50)によって固設される。本発明は光通信に適用される。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル折出方法を使用して、ヒ化ガリウムの単位胞で結晶化可能な少なくとも一つの材料(7、9、10、13)をリン化インジウムの単位胞を有する結晶ウェーハ(P1)上に折出させる、少なくとも一つの変成折出操作を含み、その結果、この結晶化可能な材料が、この素子の機能光路(A)においてこのウェーハと直列に配設された少なくとも一つの変成層(7、9、10、13、43)を形成することを特徴とする半導体光電子素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/015 505 ,  H01L 21/203 M