特許
J-GLOBAL ID：200903073992860270
太陽電池の損壊箇所の修復方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-205409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036610
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、簡単な装置及び手順で、太陽電池素子の損壊箇所たるピンホールを絶縁体で充填し、太陽電池素子のシャントと短絡を防ぐ方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の太陽電池の損壊箇所の修復方法は、裏面電極としての導電体層、太陽電池素子としての半導体層、及び光入射側の上部電極としての透明導電層をその順序で形成する太陽電池の製造方法において、少なくとも太陽電池素子を反応溶液に浸し、前記太陽電池素子に光を照射し、透明導電層又は導電体層が露出する部分のピンホールを絶縁体又は半導体で選択的に充填することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
裏面電極としての導電体層、太陽電池素子としての半導体層、及び光入射側の上部電極としての透明導電層をその順序で形成する太陽電池の製造方法において、少なくとも太陽電池素子を反応溶液に浸し、前記太陽電池素子に光を照射し、透明導電層又は導電体層が露出する部分のピンホールを絶縁体又は半導体で選択的に充填することを特徴とする太陽電池の損壊箇所の修復方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 K
, H01L 31/04 Z
