特許

J-GLOBAL ID：200903073993378871

半導体マスク、パターン寸法測定装置、マスク欠陥修正装置およびウェーハ転写装置

発明者： 田 中 智 彦
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013674
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 パターンの寸法測定、欠陥の有無の判定、欠陥パターンの修正および露光条件の最適設定等が容易に処理できる半導体マスク、パターン寸法測定装置、マスク欠陥修正装置およびウェーハ転写装置を提供する。【解決手段】 マスク乾板1の第1の領域3内に描画された転写パターン4と、マスク乾板1の第2の領域5内に描画され転写パターン4の寸法を測定するために必要な情報である寸法測定用情報が描画されたマスク寸法測定情報パターン9とを備える半導体マスク10を用い、パターン寸法測定装置50、マスク欠陥修正装置60およびウェーハ転写装置70に寸法測定情報取得部51を備えて、マスク寸法測定情報パターン9をスキャニングして寸法測定用情報を取得し、これに基づいてパターン寸法を測定して良否を判定し、欠陥パターンがあるときはこれに代る基本パターンをマスク上に描画し、さらに、算出した寸法偏差に基づいて最適の露光条件を選択して半導体マスク10を露光してウェーハに転写する。

請求項（抜粋）：

マスク乾板と、前記マスク乾板の第1の領域内に描画され、露光により半導体基板に転写される第1のパターンと、前記マスク乾板の前記第1の領域と異なる第2の領域内に描画され、前記第1のパターンの寸法を測定するために必要な情報である寸法測定用情報が描画された第2のパターンと、を備える半導体マスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 S ,  G03F 1/08 P ,  G03F 1/08 T ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W

Fターム (5件)：

2H095BD03 ,  2H095BD31 ,  2H095BE05 ,  2H095BE08 ,  2H095BE09