特許

J-GLOBAL ID：200903073994753137

無空洞トレンチ隔離を形成する方法

発明者： 洪 昌基
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-017647
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260903
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 基板内に空洞がないアイソレーションパターンの形成が可能な隔離トレンチ形成方法および後続エッチング工程の間にトレンチのエッジにリセスが発することを防止することができるトレンチの形成方法を提供する。【解決手段】 基板30上にトレンチ形成マスクが形成される。トレンチ形成マスクは相違なるエッチング比の第1物質層34及び第2物質層36で構成される。トレンチ40を形成するためトレンチ形成マスクを使用して基板をエッチングした後、湿式エッチングによって第1物質層34の両側壁を除去する。従って、トレンチ形成マスクのアンダーカットプロファイルが形成される。最終的に、基板30上にトレンチ充填絶縁層44aを塗布することによってトレンチ40を充填する。この時、トレンチ充填絶縁層44aはトレンチ40の内部により第1物質層34の側壁部位で遅い速度で塗布されるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトレンチ隔離を形成する方法において、前記半導体基板上に相異なるエッチング比の第1及び第2物質層からなるトレンチ形成マスクを形成する段階と、前記トレンチ形成マスクを使用して前記基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記第1物質層を湿式エッチングして前記第1物質層の両側壁を除去することによって前記トレンチ形成マスクのアンダーカットプロファイルを形成する段階と、前記基板上にトレンチ充填絶縁層を塗布して前記トレンチを充填する段階を含み、前記トレンチ充填絶縁層が前記トレンチの内部におけるよりも、前記第1物質層の側壁において、より遅い速度に塗布させることを特徴とするトレンチ隔離形成方法。